VBM1405. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBM1405

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 typ Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для VBM1405

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM1405 даташит

 ..1. Size:596K  cn vbsemi
 vbm1405.pdf pdf_icon

VBM1405

VBM1405 www.VBsemi.com N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested RoHS 0.0055 at VGS = 10 V 100 COMPLIANT 40 130 nC 0.0070 at VGS = 4.5 V 90 APPLICATIONS Synchronous Rectification TO-220AB Power Supplies D G S G D S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE

 8.1. Size:635K  cn vbsemi
 vbm1402.pdf pdf_icon

VBM1405

VBM1402 www.VBsemi.com N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested RoHS 0.0024 at VGS = 10 V 180 COMPLIANT 40 120 nC 0.0035 at VGS = 6.5 V 150 APPLICATIONS Synchronous Rectification TO-220AB Power Supplies D G S G D S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUT

Другие IGBT... VBM1206, VBM1208N, VBM1302, VBM1303, VBM1307, VBL1307, VBM1310, VBM1402, IRFZ44, VBM15R08, VBM15R13, VBM1603, VBM1606, VBM1615, VBM1638, VBM165R02, VBM165R04