Справочник MOSFET. VBM1405

 

VBM1405 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBM1405
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 130 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM1405 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:596K  cn vbsemi
 vbm1405.pdf pdf_icon

VBM1405

VBM1405www.VBsemi.comN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS TestedRoHS0.0055 at VGS = 10 V 100COMPLIANT 40 130 nC0.0070 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONS Synchronous RectificationTO-220AB Power SuppliesDGSG D STop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE

 8.1. Size:635K  cn vbsemi
 vbm1402.pdf pdf_icon

VBM1405

VBM1402www.VBsemi.comN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS TestedRoHS0.0024 at VGS = 10 V 180COMPLIANT 40 120 nC0.0035 at VGS = 6.5 V 150APPLICATIONS Synchronous RectificationTO-220AB Power SuppliesDGSG D STop ViewN-Channel MOSFETABSOLUT

Другие MOSFET... VBM1206 , VBM1208N , VBM1302 , VBM1303 , VBM1307 , VBL1307 , VBM1310 , VBM1402 , IRFZ44 , VBM15R08 , VBM15R13 , VBM1603 , VBM1606 , VBM1615 , VBM1638 , VBM165R02 , VBM165R04 .

History: 2P981A

 

 
Back to Top

 


 
.