VBM165R04 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

VBM165R04 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBM165R04

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 typ Ohm

Encapsulados: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de VBM165R04 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

VBM165R04 datasheet

..1. Size:1165K cn vbsemi
vbm165r04.pdf pdf_icon

VBM165R04 www.VBsemi.com N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 650 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.7 RoHS Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 48 Ruggedness Qgs (nC) 12 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Qgd (nC) 19

6.1. Size:932K cn vbsemi
vbm165r07 vbmb165r07 vbe165r07 vbfb165r07.pdf pdf_icon

VBM165R07 / VBMB165R07 VBE165R07 / VBFB165R07 www.VBsemi.com N hannel 650 D S Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 1.1 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 25 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 2.0 Avalanche energy r

6.2. Size:1273K cn vbsemi
vbm165r02.pdf pdf_icon

VBM165R02 www.VBsemi.com N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 650 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 5 RoHS Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qg (Max.) (nC) 11 Ruggedness Qgs (nC) 2.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Qgd (nC) 5.2 Compliant to

6.3. Size:921K cn vbsemi
vbm165r07s vbmb165r07s vbe165r07s vbfb165r07s.pdf pdf_icon

Otros transistores... VBM1405, VBM15R08, VBM15R13, VBM1603, VBM1606, VBM1615, VBM1638, VBM165R02, IRFB4227, VBM165R07, VBMB165R07, VBE165R07, VBFB165R07, VBM165R07S, VBMB165R07S, VBE165R07S, VBFB165R07S

VBM165R04 Todos los transistores