VBM165R04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VBM165R04
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7(typ) Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для VBM165R04
VBM165R04 Datasheet (PDF)
vbm165r04.pdf

VBM165R04 www.VBsemi.comN-Channel 650 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 650AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 1.7RoHS Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 48RuggednessQgs (nC) 12 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 19
vbm165r07 vbmb165r07 vbe165r07 vbfb165r07.pdf

VBM165R07 / VBMB165R07VBE165R07 / VBFB165R07www.VBsemi.comN hannel 650 D S Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 1.1 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 25 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 2.0 Avalanche energy r
vbm165r02.pdf

VBM165R02www.VBsemi.comN-Channel 650 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 650AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 5RoHS Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 11RuggednessQgs (nC) 2.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 5.2 Compliant to
vbm165r07s vbmb165r07s vbe165r07s vbfb165r07s.pdf

VBM165R07S / VBMB165R07SVBE165R07S / VBFB165R07Swww.VBsemi.comN hannel 650 D S Super Junc n Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.7 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 25 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 2.0
Другие MOSFET... VBM1405 , VBM15R08 , VBM15R13 , VBM1603 , VBM1606 , VBM1615 , VBM1638 , VBM165R02 , AON6414A , VBM165R07 , VBMB165R07 , VBE165R07 , VBFB165R07 , VBM165R07S , VBMB165R07S , VBE165R07S , VBFB165R07S .
History: NP15P06SLG | VSP005N03MS | STD4NK50Z-1 | IRFI740B | IRFP450B | IXFK140N20P | FQA28N50
History: NP15P06SLG | VSP005N03MS | STD4NK50Z-1 | IRFI740B | IRFP450B | IXFK140N20P | FQA28N50



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p