VBE165R07 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

VBE165R07 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBE165R07

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 typ Ohm

Encapsulados: TO252

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VBE165R07 datasheet

..1. Size:932K cn vbsemi
vbm165r07 vbmb165r07 vbe165r07 vbfb165r07.pdf pdf_icon

VBM165R07 / VBMB165R07 VBE165R07 / VBFB165R07 www.VBsemi.com N hannel 650 D S Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 1.1 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 25 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 2.0 Avalanche energy r

0.1. Size:921K cn vbsemi
vbm165r07s vbmb165r07s vbe165r07s vbfb165r07s.pdf pdf_icon

6.1. Size:984K cn vbsemi
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VBE165R04 www.VBsemi.com Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 650 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.8 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 48 Ruggedness Qgs (nC) 12 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Qgd (nC) 19 Compliant to RoH

6.2. Size:1082K cn vbsemi
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VBE165R02 www.VBsemi.com N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 650 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.8 RoHS Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qg (Max.) (nC) 15 Ruggedness Qgs (nC) 3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Qgd (nC) 6 Compliant to Ro

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