VBM1806 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBM1806
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 35.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBM1806
VBM1806 Datasheet (PDF)
vbm1806.pdf
VBM1806www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0065 at VGS = 10 V 10080 0.0090 at VGS = 6.0 V 90 17.1 nC0.0140 at VGS = 4.5 V 70TO-220AB DGSN-Channel MOSFETG D SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symb
vbm1808.pdf
VBM1808www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETaVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0065at VGS = 10 V 8080 0.0070at VGS = 6.0 V 75 17.1 nCAPPLICATIONS0.0085at VGS = 4.5 V 65 Primary Side SwitchingTO-220AB Synchronous RectificationD DC/AC Inverters LED Backligh
vbm18r15s vbmb18r15s vbp18r15s.pdf
VBM18R15S / VBMB18R15S / VBP18R15Swww.VBsemi.comN-Channel 800V (D-S) Super Junction Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 800Available Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.38 Reduced switching and conduction lossesAvailableQg max. (nC) 96 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC)
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD