VBQA1302 Todos los transistores

 

VBQA1302 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBQA1302
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1725 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
     - Selección de transistores por parámetros

 

VBQA1302 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:476K  cn vbsemi
vbqa1302.pdf pdf_icon

VBQA1302

VBQA1302www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0018 at VGS = 10 V 100APPLICATIONS30 82 nC0.0025 at VGS = 4.5 V 90 OR-ing ServerDDFN5X6Top ViewTop View Bottom View182736 G45PIN1SN-Channel MOSFETABSOLUTE MA

 7.1. Size:947K  cn vbsemi
vbqa1308.pdf pdf_icon

VBQA1302

VBQA1308www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007 at VGS = 10 V 6030 31 nC0.009 at VGS = 4.5 V 48APPLICATIONS OR-ingDFN5X6 Single DD ServerD 8 DC/DCD 7D 65G12 SS3 S

 7.2. Size:523K  cn vbsemi
vbqa1303.pdf pdf_icon

VBQA1302

VBQA1303www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.003 at VGS = 10 V 80APPLICATIONS30 71 nC0.005 at VGS = 4.5 V 70 Notebook PC Core VRM/POLDDFN5X6Top ViewTop View Bottom View182736 G45PIN1SN-Channel MOSFETABS

 9.1. Size:1042K  cn vbsemi
vbqa1102n.pdf pdf_icon

VBQA1302

VBQA1102Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.017 at VGS = 10 V10030COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersDDFN5X6Top ViewTop View Bottom View1827G364

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IRFR120TR | 4N65KG-T60-K | MRF5003 | CSD17309Q3 | AONS36316

 

 
Back to Top

 


 
.