VBQF1306 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

VBQF1306 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBQF1306

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 typ Ohm

Encapsulados: DFN3X3EP

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VBQF1306 datasheet

..1. Size:1082K cn vbsemi
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VBQF1306 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0045 at VGS = 10 V 40 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 30 26.5 nC 0.0060 at VGS = 4.5 V 33.3 APPLICATIONS DC/DC Conversion - Low-Side Switch Notebook PC Gaming D DFN 3x3 EP Top View

7.1. Size:983K cn vbsemi
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VBQF1303 www.VBsemi.com N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) RDS(on) ( ) Typ. Qg (Typ.) ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.004 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg and UIS Tested 30 33.5 nC 0.005 at VGS = 2.5 V 45 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Motor Control In

8.1. Size:1422K cn vbsemi
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VBQF1310 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.010 at V = 10 V 30 GS 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 30 26.5 nC 0.018 at V = 4.5 V 25 GS APPLICATIONS DC/DC Conversion - Low-Side Switch Notebook PC Gaming D DFN 3x3 EP Top View

9.1. Size:493K cn vbsemi
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VBQF1206 www.VBsemi.com N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) a Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested 0.0055 at VGS = 4.5V 58 20 9.4 nC 0.0057 at VGS = 2.5 V 45 APPLICATIONS High power density DC/DC Synchronous rectification Embedded DC/DC DFN 3x3 EP D Bottom View Top View Top View 1

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