Справочник MOSFET. VBQF1306

 

VBQF1306 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBQF1306
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045(typ) Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3EP

 Аналог (замена) для VBQF1306

 

 

VBQF1306 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1082K  cn vbsemi
 vbqf1306.pdf

VBQF1306 VBQF1306

VBQF1306www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0045 at VGS = 10 V 40 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 30 26.5 nC0.0060 at VGS = 4.5 V 33.3APPLICATIONS DC/DC Conversion- Low-Side Switch Notebook PC GamingD DFN 3x3 EPTop View

 7.1. Size:983K  cn vbsemi
 vbqf1303.pdf

VBQF1306 VBQF1306

VBQF1303www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARY DefinitionVDS (V) RDS(on) () Typ. Qg (Typ.)ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.004 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg and UIS Tested30 33.5 nC0.005 at VGS = 2.5 V 45 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Motor Control In

 8.1. Size:1422K  cn vbsemi
 vbqf1310.pdf

VBQF1306 VBQF1306

VBQF1310www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.010 at V = 10 V 30GS 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 30 26.5 nC0.018 at V = 4.5 V 25GS APPLICATIONS DC/DC Conversion- Low-Side Switch Notebook PC GamingD DFN 3x3 EPTop View

 9.1. Size:493K  cn vbsemi
 vbqf1206.pdf

VBQF1306 VBQF1306

VBQF1206www.VBsemi.comN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.0055 at VGS = 4.5V 5820 9.4 nC0.0057 at VGS = 2.5 V 45APPLICATIONS High power density DC/DC Synchronous rectification Embedded DC/DCDFN 3x3 EPD Bottom View Top View Top View1

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top