2N6762JANTXV Todos los transistores

 

2N6762JANTXV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N6762JANTXV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 50 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2N6762JANTXV PDF Specs

 8.1. Size:146K  international rectifier
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2N6762JANTXV

PD - 90336F IRF430 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6762 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6762 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/542] 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF430 500V 1.5 4.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique proces... See More ⇒

 8.2. Size:137K  fairchild semi
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 9.1. Size:142K  1
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Otros transistores... 2N6760JANTX , 2N6760JANTXV , 2N6760JTX , 2N6760JTXV , 2N6761 , 2N6762 , 2N6762JAN , 2N6762JANTX , BS170 , 2N6762JTX , 2N6762JTXV , 2N6763 , 2N6764 , 2N6764JAN , 2N6764JANTX , 2N6764JANTXV , 2N6764JTX .

 

 
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