2N6762JANTXV
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2N6762JANTXV
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 50
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 4.5
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 30
nC
trⓘ -
Время нарастания: 30
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 200
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5
Ohm
Тип корпуса:
TO3
Аналог (замена) для 2N6762JANTXV
2N6762JANTXV
Datasheet (PDF)
8.1. Size:146K international rectifier
2n6762 irf430.pdf PD - 90336FIRF430REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6762HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6762THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]500V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF430 500V 1.5 4.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces
9.4. Size:144K international rectifier
2n6768 irf350.pdf PD - 90339FIRF350REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6768HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6768THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/543]400V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF350 400V 0.300 14AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces
9.5. Size:146K international rectifier
2n6760 irf330.pdf PD - 90335FIRF330REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6760HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6760THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]400V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF330 400V 1.00 5.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces
9.6. Size:145K international rectifier
2n6766 irf250.pdf PD - 90338EIRF250REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6766HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6766THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/543]200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF250 200V 0.085 30AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.TO-3The efficient geometry and unique
9.12. Size:64K omnirel
2n6764 2n6766 2n6768 2n6770.pdf 2N6764, JANTX2N6764, JANTXV2N6764 2N6768, JANTX2N6768, JANTXV2N6768 2N6766, JANTX2N6766, JANTXV2N6766 2N6770, JANTX2N6770, JANTXV2N6770 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-204 PACKAGE,QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/543100V Thru 500V, Up to 38A, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power TransistorFEATURESLow RDS(on)Ease of ParallelingQualified to MIL-PRF-19500/543DESCRIPTION
Другие MOSFET... 2N6760JANTX
, 2N6760JANTXV
, 2N6760JTX
, 2N6760JTXV
, 2N6761
, 2N6762
, 2N6762JAN
, 2N6762JANTX
, 4435
, 2N6762JTX
, 2N6762JTXV
, 2N6763
, 2N6764
, 2N6764JAN
, 2N6764JANTX
, 2N6764JANTXV
, 2N6764JTX
.