VBZA4953 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBZA4953

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 typ Ohm

Encapsulados: SO8

 Búsqueda de reemplazo de VBZA4953 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

VBZA4953 datasheet

 ..1. Size:480K  cn vbsemi
vbza4953.pdf pdf_icon

VBZA4953

VBZA4953 www.VBsemi.com Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS Tested RoHS - 30 17 nC COMPLIANT 0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3 APPLICATIONS Load Switches S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5 Top Vi

 0.1. Size:1679K  cn vbsemi
vbza4953a.pdf pdf_icon

VBZA4953

VBZA4953A www.VBsemi.com Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.040 at VGS = - 10 V - 6 100 % UIS Tested RoHS - 30 15 nC COMPLIANT 0.048 at VGS = - 4.5 V - 5 APPLICATIONS Load Switches - Notebook PCs - Desktop PCs SO-8 S1 S2 - Game Stations S1 1 D1 8 G1 2

 8.1. Size:1231K  cn vbsemi
vbza4936.pdf pdf_icon

VBZA4953

VBZA4936 www.VBsemi.com Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.015 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 10 30 15 nC 100 % UIS Tested 0.019 at VGS = 4.5 V 8 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Set Top Box

 8.2. Size:1775K  cn vbsemi
vbza4946.pdf pdf_icon

VBZA4953

VBZA4946 www.VBsemi.com Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.032 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.040 ID (A) per leg 6 Configuration Dual SO-8 Dual D2 D1 D2 D2 5 D1 6 D1 7 8 G1 G2 4 G2 3 3 S1 S2 S2 S2 2 2 G G1 1 1 N-Channel MOSFET N-Channel M

Otros transistores... VBZA4606, VBZA4611, VBZA4618, VBZA4800, VBZA4805, VBZA4850, VBZA4936, VBZA4946, IRF4905, VBZA4953A, VBZA5670, VBZA6679, VBZA7240, VBZA7470, VBZA8858, VBZA9358, VBZA9410