Справочник MOSFET. VBZA4953

 

VBZA4953 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBZA4953
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для VBZA4953

 

 

VBZA4953 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:480K  cn vbsemi
 vbza4953.pdf

VBZA4953 VBZA4953

VBZA4953www.VBsemi.comDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top Vi

 0.1. Size:1679K  cn vbsemi
 vbza4953a.pdf

VBZA4953 VBZA4953

VBZA4953Awww.VBsemi.comDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.040 at VGS = - 10 V - 6 100 % UIS TestedRoHS- 30 15 nCCOMPLIANT0.048 at VGS = - 4.5 V - 5APPLICATIONS Load Switches- Notebook PCs- Desktop PCsSO-8S1 S2- Game StationsS1 1 D18G1 2

 8.1. Size:1231K  cn vbsemi
 vbza4936.pdf

VBZA4953 VBZA4953

VBZA4936www.VBsemi.comDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.015 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET1030 15 nC 100 % UIS Tested0.019 at VGS = 4.5 V 8 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box

 8.2. Size:1775K  cn vbsemi
 vbza4946.pdf

VBZA4953 VBZA4953

VBZA4946www.VBsemi.comDual N-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.032RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.040ID (A) per leg6Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D178G1 G24G233S1S2S2 S222GG111N-Channel MOSFET N-Channel M

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top