VBZA4953A Todos los transistores

 

VBZA4953A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBZA4953A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 20(max) nC
   Tiempo de subida (tr): 8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 215 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.040(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBZA4953A

 

VBZA4953A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1679K  cn vbsemi
vbza4953a.pdf

VBZA4953A
VBZA4953A

VBZA4953Awww.VBsemi.comDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.040 at VGS = - 10 V - 6 100 % UIS TestedRoHS- 30 15 nCCOMPLIANT0.048 at VGS = - 4.5 V - 5APPLICATIONS Load Switches- Notebook PCs- Desktop PCsSO-8S1 S2- Game StationsS1 1 D18G1 2

 6.1. Size:480K  cn vbsemi
vbza4953.pdf

VBZA4953A
VBZA4953A

VBZA4953www.VBsemi.comDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top Vi

 8.1. Size:1231K  cn vbsemi
vbza4936.pdf

VBZA4953A
VBZA4953A

VBZA4936www.VBsemi.comDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.015 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET1030 15 nC 100 % UIS Tested0.019 at VGS = 4.5 V 8 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box

 8.2. Size:1775K  cn vbsemi
vbza4946.pdf

VBZA4953A
VBZA4953A

VBZA4946www.VBsemi.comDual N-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.032RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.040ID (A) per leg6Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D178G1 G24G233S1S2S2 S222GG111N-Channel MOSFET N-Channel M

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


VBZA4953A
  VBZA4953A
  VBZA4953A
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: MRF5035 | MRF5015 | MRF5007R1 | MRF5007 | MRF5003 | MRF275G | MRF184S | MRF184 | MRF177M | MRF177 | MRF176GV | MRF176GU | MRF175LV | MRF175LU | MRF175GV | MRF175GU

 

 

 
Back to Top