VBZA4953A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZA4953A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.040 typ Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для VBZA4953A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZA4953A даташит

 ..1. Size:1679K  cn vbsemi
 vbza4953a.pdf pdf_icon

VBZA4953A

VBZA4953A www.VBsemi.com Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.040 at VGS = - 10 V - 6 100 % UIS Tested RoHS - 30 15 nC COMPLIANT 0.048 at VGS = - 4.5 V - 5 APPLICATIONS Load Switches - Notebook PCs - Desktop PCs SO-8 S1 S2 - Game Stations S1 1 D1 8 G1 2

 6.1. Size:480K  cn vbsemi
 vbza4953.pdf pdf_icon

VBZA4953A

VBZA4953 www.VBsemi.com Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS Tested RoHS - 30 17 nC COMPLIANT 0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3 APPLICATIONS Load Switches S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5 Top Vi

 8.1. Size:1231K  cn vbsemi
 vbza4936.pdf pdf_icon

VBZA4953A

VBZA4936 www.VBsemi.com Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.015 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 10 30 15 nC 100 % UIS Tested 0.019 at VGS = 4.5 V 8 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Set Top Box

 8.2. Size:1775K  cn vbsemi
 vbza4946.pdf pdf_icon

VBZA4953A

VBZA4946 www.VBsemi.com Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.032 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.040 ID (A) per leg 6 Configuration Dual SO-8 Dual D2 D1 D2 D2 5 D1 6 D1 7 8 G1 G2 4 G2 3 3 S1 S2 S2 S2 2 2 G G1 1 1 N-Channel MOSFET N-Channel M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VBZA4611, VBZA4618, VBZA4800, VBZA4805, VBZA4850, VBZA4936, VBZA4946, VBZA4953, IRLB4132, VBZA5670, VBZA6679, VBZA7240, VBZA7470, VBZA8858, VBZA9358, VBZA9410, VBZA9435