VBZA9936 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

VBZA9936 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBZA9936

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 typ Ohm

Encapsulados: SO8

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VBZA9936 datasheet

..1. Size:459K cn vbsemi
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8.1. Size:2211K cn vbsemi
vbza9945.pdf pdf_icon

VBZA9945 www.VBsemi.com Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.027 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.041 ID (A) per leg 8 Configuration Dual SO-8 Dual D2 D1 D2 D2 5 D1 6 D1 7 8 G1 G2 4 G2 3 3 S1 S2 S2 S2 2 2 G G1 1 1 N-Channel MOSFET N-Channel MO

8.2. Size:2313K cn vbsemi
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VBZA9926 www.VBsemi.com Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.015at VGS = 10 V 8 TrenchFET Power MOSFET 20 0.023 at VGS = 4.5 V 5.5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SO-8 D1 D2 S1 1 D1 8 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G1 G2 G2 4 D2 5 Top

8.3. Size:1779K cn vbsemi
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VBZA9926A www.VBsemi.com Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.020 at VGS = 10 V 5.8 TrenchFET Power MOSFET 20 0.023 at VGS = 4.5 V 5.5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SO-8 D1 D2 S1 1 D1 8 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G1 G2 G2 4 D2 5

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