VBZE60N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBZE60N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 max pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: TO252

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VBZE60N03 datasheet

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VBZE60N03

VBZE60N03 www.VBsemi.com N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested RoHS 85 0.007at VGS = 10 V COMPLIANT 40 20 nC 53 0.010at VGS = 4.5 V APPLICATIONS D Synchronous Rectification Power Supplies TO-252 G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIM

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VBZE60N03

VBZE60N02 www.VBsemi.com N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.003 at VGS = 4.5 V 150 20 92nC 0.006at VGS = 2.5 V 100 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET AB

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