VBZE60N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZE60N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для VBZE60N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZE60N03 даташит

 ..1. Size:877K  cn vbsemi
 vbze60n03.pdf pdf_icon

VBZE60N03

VBZE60N03 www.VBsemi.com N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested RoHS 85 0.007at VGS = 10 V COMPLIANT 40 20 nC 53 0.010at VGS = 4.5 V APPLICATIONS D Synchronous Rectification Power Supplies TO-252 G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIM

 6.1. Size:2382K  cn vbsemi
 vbze60n02.pdf pdf_icon

VBZE60N03

VBZE60N02 www.VBsemi.com N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.003 at VGS = 4.5 V 150 20 92nC 0.006at VGS = 2.5 V 100 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET AB

Другие IGBT... VBZE50N03, VBZE50N04, VBZE50N06, VBZE50P03, VBZE50P04, VBZE50P06, VBZE5N20, VBZE60N02, AO4407A, VBZE70N03, VBZE75N03, VBZE7843, VBZE80N03, VBZE80N06, VBZE80N10, VBZE80P03, VBZE90N03