VBZL120N08 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBZL120N08

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: TO263

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VBZL120N08 datasheet

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VBZL120N08

VBZL120N08 www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) New Package with Low Thermal Resistance 100 0.005 at VGS = 10 V 110a 100 % Rg Tested D D2PAK (TO-263) G D S G S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Vo

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VBZL120N08

VBZL150N03 www.VBsemi.com N-Channel 150V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETs VDS 150 175 C Junction Temperature V New Low Thermal Resistance Package RDS(on) VGS = 10 V 35 m PWM Optimized ID 55 A Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Configuration Single APPLICATIONS Primary Side Switch D D2PAK (TO-263) G D G S S N-

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VBZL120N08

VBZL100N04 www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS 100 V 175 C Junction Temperature RoHS RDS(on) VGS = 10 V 100 m COMPLIANT Low Thermal Resistance Package RDS(on) VGS = 4.5 V 106 m 100 % Rg Tested ID 20 A Configuration Single APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters D D2PAK (TO-263) G D

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