VBZL120N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VBZL120N08
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 110 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBZL120N08

VBZL120N08 Datasheet (PDF)

..1. Size:1422K cn vbsemi
vbzl120n08.pdf

VBZL120N08www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) New Package with Low Thermal Resistance100 0.005 at VGS = 10 V 110a 100 % Rg TestedDD2PAK (TO-263)GD SGSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitDrain-Source Vo

9.1. Size:1214K cn vbsemi
vbzl150n03.pdf

VBZL150N03www.VBsemi.comN-Channel 150V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS 150 175 C Junction TemperatureV New Low Thermal Resistance PackageRDS(on) VGS = 10 V 35 m PWM OptimizedID 55A Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration SingleAPPLICATIONS Primary Side SwitchDD2PAK (TO-263)GDGSSN-

9.2. Size:1095K cn vbsemi
vbzl100n04.pdf

VBZL100N04www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS 100V 175 C Junction TemperatureRoHSRDS(on) VGS = 10 V 100 mCOMPLIANT Low Thermal Resistance PackageRDS(on) VGS = 4.5 V 106 m 100 % Rg TestedID 20AConfiguration SingleAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersDD2PAK (TO-263)GD

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