VBZL60N06 Todos los transistores

 

VBZL60N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBZL60N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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VBZL60N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1263K  cn vbsemi
 vbzl60n06.pdf pdf_icon

VBZL60N06

VBZL60N06www.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature TrenchFET Power MOSFETVDS 60VRDS(on) VGS = 10 V 11mRDS(on) VGS = 4.5 V 12 m75ID AConfiguration SingleDD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitV

 6.1. Size:893K  cn vbsemi
 vbzl60n03.pdf pdf_icon

VBZL60N06

VBZL60N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY 100 % Rg and UIS TestedVDS 30V Compliant to RoHS Directive 2011/65/EURDS(on) VGS = 10 V 12mRDS(on) VGS = 4.5 V 19mAPPLICATIONSID 70 A OR-ing DConfiguration Single Server DC/DCD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFETABSOLUTE

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History: AP3N4R0H | NCE60N2K1R

 

 
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