VBZL60N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZL60N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для VBZL60N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZL60N06 даташит

 ..1. Size:1263K  cn vbsemi
 vbzl60n06.pdf pdf_icon

VBZL60N06

VBZL60N06 www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature TrenchFET Power MOSFET VDS 60 V RDS(on) VGS = 10 V 11 m RDS(on) VGS = 4.5 V 12 m 75 ID A Configuration Single D D2PAK (TO-263) G G D S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit V

 6.1. Size:893K  cn vbsemi
 vbzl60n03.pdf pdf_icon

VBZL60N06

VBZL60N03 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES TrenchFET Power MOSFET PRODUCT SUMMARY 100 % Rg and UIS Tested VDS 30 V Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU RDS(on) VGS = 10 V 12 m RDS(on) VGS = 4.5 V 19 m APPLICATIONS ID 70 A OR-ing D Configuration Single Server DC/DC D2PAK (TO-263) G G D S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE

Другие IGBT... VBZJ12N06, VBZL100N04, VBZL120N08, VBZL150N03, VBZL30N06, VBZL45N03, VBZL50N06, VBZL60N03, STP75NF75, VBZL70N03, VBZL80N03, VBZL80N04, VBZL80N06, VBZL80N08, VBZM100N03, VBZM100N04, VBZM120N15