Справочник MOSFET. VBZL60N06

 

VBZL60N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZL60N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для VBZL60N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZL60N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1263K  cn vbsemi
 vbzl60n06.pdf pdf_icon

VBZL60N06

VBZL60N06www.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature TrenchFET Power MOSFETVDS 60VRDS(on) VGS = 10 V 11mRDS(on) VGS = 4.5 V 12 m75ID AConfiguration SingleDD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitV

 6.1. Size:893K  cn vbsemi
 vbzl60n03.pdf pdf_icon

VBZL60N06

VBZL60N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY 100 % Rg and UIS TestedVDS 30V Compliant to RoHS Directive 2011/65/EURDS(on) VGS = 10 V 12mRDS(on) VGS = 4.5 V 19mAPPLICATIONSID 70 A OR-ing DConfiguration Single Server DC/DCD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFETABSOLUTE

Другие MOSFET... VBZJ12N06 , VBZL100N04 , VBZL120N08 , VBZL150N03 , VBZL30N06 , VBZL45N03 , VBZL50N06 , VBZL60N03 , 12N60 , VBZL70N03 , VBZL80N03 , VBZL80N04 , VBZL80N06 , VBZL80N08 , VBZM100N03 , VBZM100N04 , VBZM120N15 .

History: P2610BS | TK50S04K3L | IRFSL3607 | NP110N04PUK | 2SK2173 | NP40N055MLE | SM6A22NSU

 

 
Back to Top

 


 
.