VBZL80N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBZL80N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 715 max pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 typ Ohm
Encapsulados: TO263
Búsqueda de reemplazo de VBZL80N06 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
VBZL80N06 datasheet
vbzl80n06.pdf
VBZL80N06 www.VBsemi.com N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS 60 V Package with low thermal resistance RDS(on) VGS = 10 V 6 m AEC-Q101 qualified d RDS(on) VGS = 4.5 V 11 m 100 % Rg and UIS tested ID 100 A Configuration Single TO-263 D G S S D D G G N-Channel MOSFET S Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
vbzl80n04.pdf
VBZL80N04 www.VBsemi.com N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET 40 VDS V Maximum 175 C junction temperature 5 RDS(on) VGS = 10 V m 100 % Rg and UIS tested 6 RDS(on) VGS = 4.5 V m Material categorization 110 ID A for definitions of compliance please see Configuration Single D TO-263 G S S S D D G
vbzl80n03.pdf
VBZL80N03 www.VBsemi.com N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES TrenchFET Power MOSFET PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature 200 VDS V Low Thermal Resistance Package RDS(on) VGS = 10 V 48 m PWM Optimized for Fast Switching ID 40 A Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Configuration Single APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters - Primary-Si
vbzl80n08.pdf
VBZL80N08 www.VBsemi.com N-Channel 80 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET VDS 80 V Maximum 175 C junction temperature RDS(on) VGS = 10 V 6 m 100 % Rg and UIS tested RDS(on) VGS = 4.5 V m 10 Material categorization ID 120 A for definitions of compliance please see Configuration Single D TO-263 G S S S D D G G
Otros transistores... VBZL30N06, VBZL45N03, VBZL50N06, VBZL60N03, VBZL60N06, VBZL70N03, VBZL80N03, VBZL80N04, IRLB4132, VBZL80N08, VBZM100N03, VBZM100N04, VBZM120N15, VBZM12P10, VBZM13N50, VBZM150N03, VBZM150N10
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH | AP3P020H | AP3N9R5YT | AP3N9R5MT
Popular searches
2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870
