Справочник MOSFET. VBZL80N06

 

VBZL80N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBZL80N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 220 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 96 nC
   Время нарастания (tr): 14 ns
   Выходная емкость (Cd): 715(max) pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для VBZL80N06

 

 

VBZL80N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1391K  cn vbsemi
vbzl80n06.pdf

VBZL80N06 VBZL80N06

VBZL80N06www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS 60V Package with low thermal resistanceRDS(on) VGS = 10 V 6m AEC-Q101 qualified dRDS(on) VGS = 4.5 V 11 m 100 % Rg and UIS testedID 100AConfiguration SingleTO-263DGSSDDGGN-Channel MOSFET STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 6.1. Size:1636K  cn vbsemi
vbzl80n04.pdf

VBZL80N06 VBZL80N06

VBZL80N04www.VBsemi.comN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET40VDS V Maximum 175 C junction temperature5RDS(on) VGS = 10 V m 100 % Rg and UIS tested6RDS(on) VGS = 4.5 V m Material categorization:110ID Afor definitions of compliance please seeConfiguration SingleDTO-263GSSSDDG

 6.2. Size:2032K  cn vbsemi
vbzl80n03.pdf

VBZL80N06 VBZL80N06

VBZL80N03www.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature200VDS V Low Thermal Resistance PackageRDS(on) VGS = 10 V 48 m PWM Optimized for Fast SwitchingID 40A Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration SingleAPPLICATIONS Isolated DC/DC Converters- Primary-Si

 6.3. Size:1613K  cn vbsemi
vbzl80n08.pdf

VBZL80N06 VBZL80N06

VBZL80N08www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS 80 V Maximum 175 C junction temperatureRDS(on) VGS = 10 V 6 m 100 % Rg and UIS testedRDS(on) VGS = 4.5 V m10 Material categorization:ID 120Afor definitions of compliance please seeConfiguration SingleDTO-263GSSSDDGG

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top