VBZL80N08 Todos los transistores

 

VBZL80N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBZL80N08
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 370 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 53.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 22 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1395 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.006(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

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VBZL80N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1613K  cn vbsemi
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VBZL80N08www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS 80 V Maximum 175 C junction temperatureRDS(on) VGS = 10 V 6 m 100 % Rg and UIS testedRDS(on) VGS = 4.5 V m10 Material categorization:ID 120Afor definitions of compliance please seeConfiguration SingleDTO-263GSSSDDGG

 6.1. Size:1636K  cn vbsemi
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VBZL80N04www.VBsemi.comN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET40VDS V Maximum 175 C junction temperature5RDS(on) VGS = 10 V m 100 % Rg and UIS tested6RDS(on) VGS = 4.5 V m Material categorization:110ID Afor definitions of compliance please seeConfiguration SingleDTO-263GSSSDDG

 6.2. Size:2032K  cn vbsemi
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VBZL80N03www.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature200VDS V Low Thermal Resistance PackageRDS(on) VGS = 10 V 48 m PWM Optimized for Fast SwitchingID 40A Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration SingleAPPLICATIONS Isolated DC/DC Converters- Primary-Si

 6.3. Size:1391K  cn vbsemi
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VBZL80N06www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS 60V Package with low thermal resistanceRDS(on) VGS = 10 V 6m AEC-Q101 qualified dRDS(on) VGS = 4.5 V 11 m 100 % Rg and UIS testedID 100AConfiguration SingleTO-263DGSSDDGGN-Channel MOSFET STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

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