VBZL80N08 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VBZL80N08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 370 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 53.5 nC
Время нарастания (tr): 22 ns
Выходная емкость (Cd): 1395 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006(typ) Ohm
Тип корпуса: TO263
VBZL80N08 Datasheet (PDF)
vbzl80n08.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBZL80N08www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS 80 V Maximum 175 C junction temperatureRDS(on) VGS = 10 V 6 m 100 % Rg and UIS testedRDS(on) VGS = 4.5 V m10 Material categorization:ID 120Afor definitions of compliance please seeConfiguration SingleDTO-263GSSSDDGG
vbzl80n04.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBZL80N04www.VBsemi.comN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET40VDS V Maximum 175 C junction temperature5RDS(on) VGS = 10 V m 100 % Rg and UIS tested6RDS(on) VGS = 4.5 V m Material categorization:110ID Afor definitions of compliance please seeConfiguration SingleDTO-263GSSSDDG
vbzl80n03.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBZL80N03www.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature200VDS V Low Thermal Resistance PackageRDS(on) VGS = 10 V 48 m PWM Optimized for Fast SwitchingID 40A Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration SingleAPPLICATIONS Isolated DC/DC Converters- Primary-Si
vbzl80n06.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBZL80N06www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS 60V Package with low thermal resistanceRDS(on) VGS = 10 V 6m AEC-Q101 qualified dRDS(on) VGS = 4.5 V 11 m 100 % Rg and UIS testedID 100AConfiguration SingleTO-263DGSSDDGGN-Channel MOSFET STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .