VBZL80N08. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZL80N08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1395 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 typ Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для VBZL80N08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZL80N08 даташит

 ..1. Size:1613K  cn vbsemi
 vbzl80n08.pdf pdf_icon

VBZL80N08

VBZL80N08 www.VBsemi.com N-Channel 80 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET VDS 80 V Maximum 175 C junction temperature RDS(on) VGS = 10 V 6 m 100 % Rg and UIS tested RDS(on) VGS = 4.5 V m 10 Material categorization ID 120 A for definitions of compliance please see Configuration Single D TO-263 G S S S D D G G

 6.1. Size:1636K  cn vbsemi
 vbzl80n04.pdf pdf_icon

VBZL80N08

VBZL80N04 www.VBsemi.com N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET 40 VDS V Maximum 175 C junction temperature 5 RDS(on) VGS = 10 V m 100 % Rg and UIS tested 6 RDS(on) VGS = 4.5 V m Material categorization 110 ID A for definitions of compliance please see Configuration Single D TO-263 G S S S D D G

 6.2. Size:2032K  cn vbsemi
 vbzl80n03.pdf pdf_icon

VBZL80N08

VBZL80N03 www.VBsemi.com N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES TrenchFET Power MOSFET PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature 200 VDS V Low Thermal Resistance Package RDS(on) VGS = 10 V 48 m PWM Optimized for Fast Switching ID 40 A Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Configuration Single APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters - Primary-Si

 6.3. Size:1391K  cn vbsemi
 vbzl80n06.pdf pdf_icon

VBZL80N08

VBZL80N06 www.VBsemi.com N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS 60 V Package with low thermal resistance RDS(on) VGS = 10 V 6 m AEC-Q101 qualified d RDS(on) VGS = 4.5 V 11 m 100 % Rg and UIS tested ID 100 A Configuration Single TO-263 D G S S D D G G N-Channel MOSFET S Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VBZL45N03, VBZL50N06, VBZL60N03, VBZL60N06, VBZL70N03, VBZL80N03, VBZL80N04, VBZL80N06, AO3401, VBZM100N03, VBZM100N04, VBZM120N15, VBZM12P10, VBZM13N50, VBZM150N03, VBZM150N10, VBZM18N20