Справочник MOSFET. VBZL80N08

 

VBZL80N08 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBZL80N08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1395 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для VBZL80N08

 

 

VBZL80N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1613K  cn vbsemi
 vbzl80n08.pdf

VBZL80N08 VBZL80N08

VBZL80N08www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS 80 V Maximum 175 C junction temperatureRDS(on) VGS = 10 V 6 m 100 % Rg and UIS testedRDS(on) VGS = 4.5 V m10 Material categorization:ID 120Afor definitions of compliance please seeConfiguration SingleDTO-263GSSSDDGG

 6.1. Size:1636K  cn vbsemi
 vbzl80n04.pdf

VBZL80N08 VBZL80N08

VBZL80N04www.VBsemi.comN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET40VDS V Maximum 175 C junction temperature5RDS(on) VGS = 10 V m 100 % Rg and UIS tested6RDS(on) VGS = 4.5 V m Material categorization:110ID Afor definitions of compliance please seeConfiguration SingleDTO-263GSSSDDG

 6.2. Size:2032K  cn vbsemi
 vbzl80n03.pdf

VBZL80N08 VBZL80N08

VBZL80N03www.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature200VDS V Low Thermal Resistance PackageRDS(on) VGS = 10 V 48 m PWM Optimized for Fast SwitchingID 40A Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration SingleAPPLICATIONS Isolated DC/DC Converters- Primary-Si

 6.3. Size:1391K  cn vbsemi
 vbzl80n06.pdf

VBZL80N08 VBZL80N08

VBZL80N06www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS 60V Package with low thermal resistanceRDS(on) VGS = 10 V 6m AEC-Q101 qualified dRDS(on) VGS = 4.5 V 11 m 100 % Rg and UIS testedID 100AConfiguration SingleTO-263DGSSDDGGN-Channel MOSFET STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top