VBZL80N08 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VBZL80N08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1395 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006(typ) Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для VBZL80N08
VBZL80N08 Datasheet (PDF)
vbzl80n08.pdf

VBZL80N08www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS 80 V Maximum 175 C junction temperatureRDS(on) VGS = 10 V 6 m 100 % Rg and UIS testedRDS(on) VGS = 4.5 V m10 Material categorization:ID 120Afor definitions of compliance please seeConfiguration SingleDTO-263GSSSDDGG
vbzl80n04.pdf

VBZL80N04www.VBsemi.comN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET40VDS V Maximum 175 C junction temperature5RDS(on) VGS = 10 V m 100 % Rg and UIS tested6RDS(on) VGS = 4.5 V m Material categorization:110ID Afor definitions of compliance please seeConfiguration SingleDTO-263GSSSDDG
vbzl80n03.pdf

VBZL80N03www.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature200VDS V Low Thermal Resistance PackageRDS(on) VGS = 10 V 48 m PWM Optimized for Fast SwitchingID 40A Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration SingleAPPLICATIONS Isolated DC/DC Converters- Primary-Si
vbzl80n06.pdf

VBZL80N06www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS 60V Package with low thermal resistanceRDS(on) VGS = 10 V 6m AEC-Q101 qualified dRDS(on) VGS = 4.5 V 11 m 100 % Rg and UIS testedID 100AConfiguration SingleTO-263DGSSDDGGN-Channel MOSFET STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Другие MOSFET... VBZL45N03 , VBZL50N06 , VBZL60N03 , VBZL60N06 , VBZL70N03 , VBZL80N03 , VBZL80N04 , VBZL80N06 , AO3400 , VBZM100N03 , VBZM100N04 , VBZM120N15 , VBZM12P10 , VBZM13N50 , VBZM150N03 , VBZM150N10 , VBZM18N20 .
History: SHD225603 | AOWF11S60 | AO3419L | CMI100N04
History: SHD225603 | AOWF11S60 | AO3419L | CMI100N04



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771