VBZM50N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBZM50N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 136 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 47 nC
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 570 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.011(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBZM50N06
VBZM50N06 Datasheet (PDF)
vbzm50n06.pdf
VBZM50N06www.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 10 V 60 Material categorization:600.013 at VGS = 4.5 V 50DTO-220ABGSDSGN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Lim
vbzm50n03.pdf
VBZM50N03www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 30 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V0.007 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V0.010ID (A) 70Configuration SingleTO-220ABPackageTO-220AB DGSN-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATIN
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