Справочник MOSFET. VBZM50N06

 

VBZM50N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZM50N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для VBZM50N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZM50N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:834K  cn vbsemi
 vbzm50n06.pdf pdf_icon

VBZM50N06

VBZM50N06www.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 10 V 60 Material categorization:600.013 at VGS = 4.5 V 50DTO-220ABGSDSGN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Lim

 6.1. Size:959K  cn vbsemi
 vbzm50n03.pdf pdf_icon

VBZM50N06

VBZM50N03www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 30 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V0.007 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V0.010ID (A) 70Configuration SingleTO-220ABPackageTO-220AB DGSN-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATIN

Другие MOSFET... VBZM20P06 , VBZM30N06 , VBZM3710 , VBZM40N03 , VBZM40N10 , VBZM40P06 , VBZM4N20 , VBZM50N03 , 20N50 , VBZM60N06 , VBZM60P03 , VBZM630 , VBZM630Y , VBZM75N03 , VBZM75N80 , VBZM75NF75 , VBZM80N03 .

History: BRFL60R190C | 2SK1165 | GT1003A | BRF13N50 | IRF7905PBF | FTK2312 | LSD65R570GT

 

 
Back to Top

 


 
.