VBZM75N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VBZM75N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 525 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBZM75N03

VBZM75N03 Datasheet (PDF)

..1. Size:886K cn vbsemi
vbzm75n03.pdf

VBZM75N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESVDS (V) 30 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V0.006 Compliant to RoHS Directive 2011/65/EURDS(on) () at VGS = 4.5 V0.009ID (A)80Configuration Single DTO-220ABPackageTO-220AB GSN-Channel MOSFETG D SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA =

7.1. Size:1080K cn vbsemi
vbzm75n80.pdf

VBZM75N80www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURES80VDS V TrenchFET Power MOSFETRDS(on) VGS = 10 V 6m 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) VGS = 4.5 V 14m120ID AConfiguration SingleTO-220AB DGSN-Channel MOSFETG D SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Sourc

7.2. Size:1114K cn vbsemi
vbzm75nf75.pdf

VBZM75NF75www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET80VDS V 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) VGS = 10 V 7m9RDS(on) VGS = 4.5 V mAPPLICATIONS100ID A Primary Side SwitchingConfiguration Single Synchronous Rectification DC/AC InvertersTO-220AB D LED BacklightingGTop ViewSN-C

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Liste

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