VBZM75N80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBZM75N80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 typ Ohm

Encapsulados: TO220AB

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VBZM75N80 datasheet

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VBZM75N80

VBZM75N80 www.VBsemi.com N-Channel 80 V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES 80 VDS V TrenchFET Power MOSFET RDS(on) VGS = 10 V 6 m 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) VGS = 4.5 V 14 m 120 ID A Configuration Single TO-220AB D G S N-Channel MOSFET G D S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Sourc

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VBZM75N80

VBZM75N03 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) 30 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.006 Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.009 ID (A) 80 Configuration Single D TO-220AB Package TO-220AB G S N-Channel MOSFET G D S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA =

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VBZM75N80

VBZM75NF75 www.VBsemi.com N-Channel 80 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 80 VDS V 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) VGS = 10 V 7 m 9 RDS(on) VGS = 4.5 V m APPLICATIONS 100 ID A Primary Side Switching Configuration Single Synchronous Rectification DC/AC Inverters TO-220AB D LED Backlighting G Top View S N-C

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