VBZM75N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBZM75N80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 180 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 35.5 nC
Tiempo de subida (tr): 8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1400 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.006(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBZM75N80
VBZM75N80 Datasheet (PDF)
vbzm75n80.pdf
VBZM75N80www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURES80VDS V TrenchFET Power MOSFETRDS(on) VGS = 10 V 6m 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) VGS = 4.5 V 14m120ID AConfiguration SingleTO-220AB DGSN-Channel MOSFETG D SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Sourc
vbzm75n03.pdf
VBZM75N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESVDS (V) 30 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V0.006 Compliant to RoHS Directive 2011/65/EURDS(on) () at VGS = 4.5 V0.009ID (A)80Configuration Single DTO-220ABPackageTO-220AB GSN-Channel MOSFETG D SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA =
vbzm75nf75.pdf
VBZM75NF75www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET80VDS V 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) VGS = 10 V 7m9RDS(on) VGS = 4.5 V mAPPLICATIONS100ID A Primary Side SwitchingConfiguration Single Synchronous Rectification DC/AC InvertersTO-220AB D LED BacklightingGTop ViewSN-C
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