VBZQA50N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VBZQA50N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 155 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Carga de la puerta (Qg): 31(max) nC
   Tiempo de subida (tr): 11 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 425(max) pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.007(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBZQA50N03

VBZQA50N03 Datasheet (PDF)

..1. Size:1469K cn vbsemi
vbzqa50n03.pdf

VBZQA50N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007 at VGS = 10 V 8030 31 nC0.009 at VGS = 4.5 V 60APPLICATIONS OR-ingDFN5X6 Single DD ServerD 8 DC/DCD 7D 65G12 SS3 S

7.1. Size:1919K cn vbsemi
vbzqa50p03.pdf

VBZQA50P03www.VBsemi.comP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURES-30 V Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDSDefinitionRDS(on),typ VGS=10V 11 m TrenchFET Power MOSFET18RDS(on),typ VGS=4.5V m Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Small Size and Low 1.07 mmID -45AProfile 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

9.1. Size:1164K cn vbsemi
vbzqa80n03.pdf

VBZQA80N03www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.003 at VGS = 10 V 120APPLICATIONS30 71 nC0.005 at VGS = 4.5 V 90 Notebook PC Core VRM/POLDDFN5X6Top ViewTop View Bottom View182736 G45PIN1SN-Channel MOSFET

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vbzqa120n03.pdf

VBZQA120N03www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0018 at VGS = 10 V 160APPLICATIONS3018 nC0.0025 at VGS = 4.5 V 130 OR-ing ServerDDFN5X6Top ViewTop View Bottom View182736 G45PIN1SN-Channel MOSFETABSOLU

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Liste

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