Справочник MOSFET. VBZQA50N03

 

VBZQA50N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZQA50N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 155 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 425(max) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007(typ) Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для VBZQA50N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZQA50N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1469K  cn vbsemi
vbzqa50n03.pdfpdf_icon

VBZQA50N03

VBZQA50N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007 at VGS = 10 V 8030 31 nC0.009 at VGS = 4.5 V 60APPLICATIONS OR-ingDFN5X6 Single DD ServerD 8 DC/DCD 7D 65G12 SS3 S

 7.1. Size:1919K  cn vbsemi
vbzqa50p03.pdfpdf_icon

VBZQA50N03

VBZQA50P03www.VBsemi.comP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURES-30 V Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDSDefinitionRDS(on),typ VGS=10V 11 m TrenchFET Power MOSFET18RDS(on),typ VGS=4.5V m Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Small Size and Low 1.07 mmID -45AProfile 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

 9.1. Size:1164K  cn vbsemi
vbzqa80n03.pdfpdf_icon

VBZQA50N03

VBZQA80N03www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.003 at VGS = 10 V 120APPLICATIONS30 71 nC0.005 at VGS = 4.5 V 90 Notebook PC Core VRM/POLDDFN5X6Top ViewTop View Bottom View182736 G45PIN1SN-Channel MOSFET

 9.2. Size:1414K  cn vbsemi
vbzqa120n03.pdfpdf_icon

VBZQA50N03

VBZQA120N03www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0018 at VGS = 10 V 160APPLICATIONS3018 nC0.0025 at VGS = 4.5 V 130 OR-ing ServerDDFN5X6Top ViewTop View Bottom View182736 G45PIN1SN-Channel MOSFETABSOLU

Другие MOSFET... VBZMB20N65 , VBZMB20N65S , VBZMB2N65 , VBZMB4N65 , VBZMB7N65 , VBZMB8N60 , VBZP50N50S , VBZQA120N03 , MMIS60R580P , VBZQA50P03 , VBZQA80N03 , VBZQF50N03 , VBZQF50P03 , WNM2016-3 , WNM2020-3 , WPM2015-3-TR , WPM2341A-3-TR .

History: ME7170-G | SMK630F | IRFHM9331 | TK10A80W

 

 
Back to Top

 


 
.