STU17L01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STU17L01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 96 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 69 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 237 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.081 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STU17L01

STU17L01 Datasheet (PDF)

..1. Size:121K samhop
stu17l01 std17l01.pdf

GreenProductSTU/D17L01aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.81 @ VGS=10VSuface Mount Package.-100V -17A94 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251 I

Otros transistores... FDC6310P , FDC6312P , FDC6318P , FDC6320C , STU303S , FDC6321C , STU3030NLS , FDC6327C , AON6414A , FDC6333C , STU16L01 , STU15N20 , FDC637BNZ , FDC638APZ , FDC6401N , FDC6420C , STU15L01 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: