STU17L01 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STU17L01  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 237 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.081 Ohm

Тип корпуса: TO252 DPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STU17L01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU17L01 даташит

 ..1. Size:121K  samhop
 stu17l01 std17l01.pdf pdf_icon

STU17L01

Green Product STU/D17L01 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 81 @ VGS=10V Suface Mount Package. -100V -17A 94 @ VGS=4.5V G G S S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO - 251 I

Другие IGBT... FDC6310P, FDC6312P, FDC6318P, FDC6320C, STU303S, FDC6321C, STU3030NLS, FDC6327C, 10N60, FDC6333C, STU16L01, STU15N20, FDC637BNZ, FDC638APZ, FDC6401N, FDC6420C, STU15L01