NCE3080K MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

NCE3080K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NCE3080K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: TO252

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NCE3080K datasheet

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Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE3080K NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3080K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =80A RDS(ON)

0.1. Size:495K ncepower
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0.2. Size:840K cn vbsemi
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NCE3080KA www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.002 at VGS = 10 V 100 30 72 nC 0.003 at VGS = 4.5 V 90 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABS

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Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE3080I NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3080I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =80A RDS(ON)

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