NCE3407 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NCE3407
   Código: 3407
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NCE3407

NCE3407 Datasheet (PDF)

..1. Size:281K ncepower
nce3407.pdf

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3407NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe NCE3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load Gswitch or in PWM applications. SGeneral Features VDS = -30V,ID = -4.1A Schematic diagram RDS(ON)

0.1. Size:602K ncepower
nce3407a.pdf

http://www.ncepower.comNCE3407ANCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionDThe NCE3407A uses advanced trench technology to provideexcellent R , This device is suitable for use as a loadDS(ON)Gswitch or in PWM applications.General FeaturesS V = -30V,I = -4.3ADS DSchematic diagramR

0.2. Size:261K ncepower
nce3407ay.pdf

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3407AYNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescription The NCE3407AY uses advanced trench technology to provide Gexcellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SGeneral Features Schematic diagram VDS = -30V,ID = -4.3A RDS(ON)

0.3. Size:729K ncepower
nce3407e.pdf

Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE3407ENCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE3407E uses advanced trench technology to provideexcellent R . This device is suitable for use as a loadDS(ON)switch or in PWM applications.It is ESD protected.General Features V = -30V,I = -4.3A Schematic diagramDS DR = 28m @ V =-10V (typ)DS(ON) GSR = 38m

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Liste

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