NCE9435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NCE9435
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NCE9435

NCE9435 Datasheet (PDF)

..1. Size:339K ncepower
nce9435.pdf

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE9435NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescription The NCE9435 uses advanced trench technology to provide Gexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SSchematic diagram General Features VDS = -30V,ID

0.1. Size:388K ncepower
nce9435a.pdf

http://www.ncepower.com NCE9435ANCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe NCE9435A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate Gvoltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SSchematic diagram General Features VDS = -30V,ID = -5.3A RDS(

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Liste

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