NCE9435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NCE9435
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.1 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.1 V
Carga de la puerta (Qg): 11 nC
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 390 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NCE9435
NCE9435 Datasheet (PDF)
nce9435.pdf
Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE9435NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescription The NCE9435 uses advanced trench technology to provide Gexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SSchematic diagram General Features VDS = -30V,ID
nce9435a.pdf
http://www.ncepower.com NCE9435ANCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe NCE9435A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate Gvoltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SSchematic diagram General Features VDS = -30V,ID = -5.3A RDS(
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