FDD3510H Todos los transistores

 

FDD3510H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDD3510H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 35 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 80 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 13.9 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 13 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.08 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252_DPAK

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FDD3510H Datasheet (PDF)

1.1. fdd3510h.pdf Size:427K _fairchild_semi

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April 2008 FDD3510H Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET N-Channel: 80V, 13.9A, 80mΩ P-Channel: -80V, -9.4A, 190mΩ Features General Description Q1: N-Channel These dual N and P-Channel enhancement mode Power MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s Max rDS(on) = 80mΩ at VGS = 10V, ID = 4.3A advanced PowerTrench® process that has been especially Max rDS(on

5.1. fdd3570.pdf Size:210K _upd-mosfet

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February 2000 PRELIMINARY FDD3570 80V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel Logic level MOSFET has been • 10 A, 80 V. RDS(ON) = 0.019 Ω @ VGS = 10 V designed specifically to improve the overall efficiency of RDS(ON) = 0.022 Ω @ VGS = 6 V. DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. • Fast switching

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