FDD3510H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDD3510H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 35 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 80 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 13.9 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de compuerta (Qg): 13 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.08 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO252_DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDD3510H
FDD3510H Datasheet (PDF)
1.1. fdd3510h.pdf 
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April 2008 FDD3510H Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET N-Channel: 80V, 13.9A, 80mΩ P-Channel: -80V, -9.4A, 190mΩ Features General Description Q1: N-Channel These dual N and P-Channel enhancement mode Power MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s Max rDS(on) = 80mΩ at VGS = 10V, ID = 4.3A advanced PowerTrench® process that has been especially Max rDS(on
5.1. fdd3570.pdf Size:210K _upd-mosfet
February 2000 PRELIMINARY FDD3570 80V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel Logic level MOSFET has been • 10 A, 80 V. RDS(ON) = 0.019 Ω @ VGS = 10 V designed specifically to improve the overall efficiency of RDS(ON) = 0.022 Ω @ VGS = 6 V. DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. • Fast switching
Otros transistores... FDD24AN06LA0_F085 , FDD2572 , FDD2572_F085 , FDD2582 , FDD2670 , STU09N25 , FDD26AN06A0_F085 , FDD306P , IRF9530 , STU06L01 , FDD3670 , STU04N20 , FDD3672 , STU03N20 , FDD3672_F085 , STU03L07 , STU03L01 .
