2SK736 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SK736
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 35 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Voltaje de corte de la puerta |Vgs(off)|: 1 V
   Tiempo de subida (tr): 70 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 600 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK736

2SK736 Datasheet (PDF)

..1. Size:3170K 1
2sk736.pdf

..2. Size:279K inchange semiconductor
2sk736.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK736FEATURESDrain Current : I = 15A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.45(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

9.1. Size:319K 1
2sk739 2sk739-z.pdf