2SK736 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK736
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de 2SK736 MOSFET
2SK736 Datasheet (PDF)
2sk736.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK736FEATURESDrain Current : I = 15A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.45(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi
Otros transistores... 2SK4123LS , 2SK4179 , 2SK4203LS , 2SK4204LS , 2SK4227JS , 2SK430L , 2SK430S , 2SK591 , IRFB3607 , 2SK810 , 2SK811 , 2SK895 , 2SK896 , FMW60N070S2HF , 60NM60L-T3P , 60NM60L-T47 , 60NM60G-T3P .
History: 2SK1678 | H12N60P | JCS13N90ABA | SUD42N03-3M9P | NTTFS4932N | H10N60P | APT50M60L2VFRG
History: 2SK1678 | H12N60P | JCS13N90ABA | SUD42N03-3M9P | NTTFS4932N | H10N60P | APT50M60L2VFRG
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor

