2SK811 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK811
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Encapsulados: TO220F
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2SK811 datasheet
2sk811.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK811 FEATURES Drain Current I = 14A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.18 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoi
Otros transistores... 2SK4203LS , 2SK4204LS , 2SK4227JS , 2SK430L , 2SK430S , 2SK591 , 2SK736 , 2SK810 , IRF530 , 2SK895 , 2SK896 , FMW60N070S2HF , 60NM60L-T3P , 60NM60L-T47 , 60NM60G-T3P , 60NM60G-T47 , ISC60NM60L .
History: SM1A11NSK
History: SM1A11NSK
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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