IXFY26N30X3 Todos los transistores

 

IXFY26N30X3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFY26N30X3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.066 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXFY26N30X3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  1
 ixfy26n30x3 ixfa26n30x3 ixfp26n30x3.pdf pdf_icon

IXFY26N30X3

Preliminary Technical InformationVDSS = 300VX3-Class HiPERFETTM IXFY26N30X3ID25 = 26APower MOSFETIXFA26N30X3 RDS(on) 66m IXFP26N30X3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-252 (IXFY)G SD (Tab)TO-263 (IXFA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VGSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1

 ..2. Size:286K  inchange semiconductor
 ixfy26n30x3.pdf pdf_icon

IXFY26N30X3

isc N-Channel MOSFET Transistor IXFY26N30X3FEATURESDrain Current : I = 26A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 300V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 66m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.

Otros transistores... ISCNH373F , ISCNH374D , ISCNH375W , ISCNH376L , ISCNH377B , ISCNH379P , ISF40NF20 , ISH3N150 , IRF830 , IXFA26N30X3 , IXFP26N30X3 , MMD60R900QRH , STF23N80K5 , STF6N90K5 , SW3N90U , SWI3N90U , SWMI3N90U .

 

 
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