IXFY26N30X3 Todos los transistores

 

IXFY26N30X3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFY26N30X3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.066 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de IXFY26N30X3 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXFY26N30X3 datasheet

 ..1. Size:249K  1
 ixfy26n30x3 ixfa26n30x3 ixfp26n30x3.pdf pdf_icon

IXFY26N30X3

Preliminary Technical Information VDSS = 300V X3-Class HiPERFETTM IXFY26N30X3 ID25 = 26A Power MOSFET IXFA26N30X3 RDS(on) 66m IXFP26N30X3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-252 (IXFY) G S D (Tab) TO-263 (IXFA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V G S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1

 ..2. Size:286K  inchange semiconductor
 ixfy26n30x3.pdf pdf_icon

IXFY26N30X3

isc N-Channel MOSFET Transistor IXFY26N30X3 FEATURES Drain Current I = 26A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 300V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 66m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

Otros transistores... ISCNH373F , ISCNH374D , ISCNH375W , ISCNH376L , ISCNH377B , ISCNH379P , ISF40NF20 , ISH3N150 , 2N60 , IXFA26N30X3 , IXFP26N30X3 , MMD60R900QRH , STF23N80K5 , STF6N90K5 , SW3N90U , SWI3N90U , SWMI3N90U .

History: AGM1095MAP | SML5020BN

 

 
Back to Top

 


 
.