IXFY26N30X3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFY26N30X3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 170 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 300 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 26 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 22 nC
Tiempo de subida (tr): 25 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 225 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.066 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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IXFY26N30X3 Datasheet (PDF)
ixfy26n30x3 ixfa26n30x3 ixfp26n30x3.pdf
Preliminary Technical InformationVDSS = 300VX3-Class HiPERFETTM IXFY26N30X3ID25 = 26APower MOSFETIXFA26N30X3 RDS(on) 66m IXFP26N30X3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-252 (IXFY)G SD (Tab)TO-263 (IXFA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VGSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1
ixfy26n30x3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IXFY26N30X3FEATURESDrain Current : I = 26A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 300V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 66m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
