IXFY26N30X3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFY26N30X3  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.066 Ohm

Encapsulados: TO252

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de IXFY26N30X3 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXFY26N30X3 datasheet

 ..1. Size:249K  1
 ixfy26n30x3 ixfa26n30x3 ixfp26n30x3.pdf pdf_icon

IXFY26N30X3

Preliminary Technical Information VDSS = 300V X3-Class HiPERFETTM IXFY26N30X3 ID25 = 26A Power MOSFET IXFA26N30X3 RDS(on) 66m IXFP26N30X3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-252 (IXFY) G S D (Tab) TO-263 (IXFA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V G S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1

 ..2. Size:286K  inchange semiconductor
 ixfy26n30x3.pdf pdf_icon

IXFY26N30X3

isc N-Channel MOSFET Transistor IXFY26N30X3 FEATURES Drain Current I = 26A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 300V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 66m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

Otros transistores... ISCNH373F, ISCNH374D, ISCNH375W, ISCNH376L, ISCNH377B, ISCNH379P, ISF40NF20, ISH3N150, AO3407, IXFA26N30X3, IXFP26N30X3, MMD60R900QRH, FTF50P35DHVT, STF6N90K5, SW3N90U, SWI3N90U, SWMI3N90U