Справочник MOSFET. IXFY26N30X3

 

IXFY26N30X3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFY26N30X3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 300 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 26 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
   Время нарастания (tr): 25 ns
   Выходная емкость (Cd): 225 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.066 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IXFY26N30X3

 

 

IXFY26N30X3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  1
ixfy26n30x3 ixfa26n30x3 ixfp26n30x3.pdf

IXFY26N30X3 IXFY26N30X3

Preliminary Technical InformationVDSS = 300VX3-Class HiPERFETTM IXFY26N30X3ID25 = 26APower MOSFETIXFA26N30X3 RDS(on) 66m IXFP26N30X3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-252 (IXFY)G SD (Tab)TO-263 (IXFA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VGSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1

 ..2. Size:286K  inchange semiconductor
ixfy26n30x3.pdf

IXFY26N30X3 IXFY26N30X3

isc N-Channel MOSFET Transistor IXFY26N30X3FEATURESDrain Current : I = 26A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 300V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 66m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top