IXFY26N30X3 - описание и поиск аналогов

 

IXFY26N30X3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFY26N30X3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.066 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IXFY26N30X3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFY26N30X3 даташит

 ..1. Size:249K  1
 ixfy26n30x3 ixfa26n30x3 ixfp26n30x3.pdf pdf_icon

IXFY26N30X3

Preliminary Technical Information VDSS = 300V X3-Class HiPERFETTM IXFY26N30X3 ID25 = 26A Power MOSFET IXFA26N30X3 RDS(on) 66m IXFP26N30X3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-252 (IXFY) G S D (Tab) TO-263 (IXFA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V G S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1

 ..2. Size:286K  inchange semiconductor
 ixfy26n30x3.pdf pdf_icon

IXFY26N30X3

isc N-Channel MOSFET Transistor IXFY26N30X3 FEATURES Drain Current I = 26A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 300V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 66m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

Другие MOSFET... ISCNH373F , ISCNH374D , ISCNH375W , ISCNH376L , ISCNH377B , ISCNH379P , ISF40NF20 , ISH3N150 , 2N60 , IXFA26N30X3 , IXFP26N30X3 , MMD60R900QRH , STF23N80K5 , STF6N90K5 , SW3N90U , SWI3N90U , SWMI3N90U .

History: AGM406MNA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.