STF23N80K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STF23N80K5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
- Selección de transistores por parámetros
STF23N80K5 Datasheet (PDF)
stf23n80k5.pdf

STF23N80K5 N-channel 800 V, 0.23 typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTF23N80K5 800 V 0.28 16 A 35 W Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best figure of merit (FoM) Ultra low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected TO-220F
stf23n80k5.pdf

STF23N80K5 N-channel 800 V, 0.23 typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTF23N80K5 800 V 0.28 16 A 35 W Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best figure of merit (FoM) Ultra low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected TO-220F
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isc N-Channel MOSFET Transistor STF23N80K5FEATURESDrain Current : I = 16A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.28(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sol
stb23nm60n stf23nm60n sti23nm60n stp23nm60n stw23nm60n.pdf

STB23NM60N-STF23NM60NSTI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60NN-channel 600 V - 0.150 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FPTO-247, second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max31 21STB23NM60N 19 ADPAKIPAKSTI23NM60N 19 A3STF23NM60N 650 V 0.180 19 A (1)21STP23NM60N 19 ATO-247STW23NM60N 19 A3 32 21 11. Limited
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: NTJS4405NT4 | IPF105N03LG | FDP24AN06LA0 | PMPB55ENEA | FCH170N60 | AM4431P | 2SJ151
History: NTJS4405NT4 | IPF105N03LG | FDP24AN06LA0 | PMPB55ENEA | FCH170N60 | AM4431P | 2SJ151



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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