SWD3N90U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWD3N90U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWD3N90U

SWD3N90U Datasheet (PDF)

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sw3n90u swi3n90u swmi3n90u swd3n90u.pdf

SW3N90U N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251M/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-251M TO-252 BVDSS : 900V ID : 3A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.8)@VGS=10V RDS(ON) : 4.8 Low Gate Charge (Typ 19nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:Adaptor, LED, Industrial Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Sou

..2. Size:809K samwin
swi3n90u swmi3n90u swd3n90u.pdf

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swf3n80d swn3n80d swd3n80d.pdf

SW3N80D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-251N TO-252 BVDSS : 800V TO-220F High ruggedness ID : 3A Low RDS(ON) (Typ 3.8)@VGS=10V RDS(ON) : 3.8 Low Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 Application: DC-DCLEDPC 3 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: