STB200NF04 Todos los transistores

 

STB200NF04 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB200NF04

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 320 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm

Encapsulados: TO263 TO262

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STB200NF04 datasheet

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STB200NF04

STP200NF04 STB200NF04 - STB200NF04-1 N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 m TO-220/D PAK/I PAK STripFET II MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package Type VDSS RDS(on) ID Pw STB200NF04 40 V

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STB200NF04

STP200NF04L STB200NF04L - STB200NF04L-1 N-CHANNEL 40V - 3 m - 120 A TO-220/D PAK/I PAK STripFET II MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID STB200NF04L 40 V 3.5 m 120 A STP200NF04L 40 V 3.8 m 120 A STB200NF04L-1 40 V 3.8 m 120 A TYPICAL RDS(on) = 3m 3 3 2 1 1 100% AVALANCHE TESTED TO-220 D PAK LOW THERESHOLD DRIVE DESCRIPT

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STB200NF04

STP200NF04 STB200NF04 - STB200NF04-1 N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 m TO-220/D PAK/I PAK STripFET II MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package Type VDSS RDS(on) ID Pw STB200NF04 40 V

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STB200NF04

STP200NF04L STB200NF04L - STB200NF04L-1 N-CHANNEL 40V - 3 m - 120 A TO-220/D PAK/I PAK STripFET II MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID STB200NF04L 40 V 3.5 m 120 A STP200NF04L 40 V 3.8 m 120 A STB200NF04L-1 40 V 3.8 m 120 A TYPICAL RDS(on) = 3m 3 3 2 1 1 100% AVALANCHE TESTED TO-220 D PAK LOW THERESHOLD DRIVE DESCRIPT

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