STB200NF04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STB200NF04
   Código: B200NF04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 310 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 170 nC
   Tiempo de subida (tr): 320 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1600 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0037 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263 TO262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB200NF04

STB200NF04 Datasheet (PDF)

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stp200nf04 stb200nf04 stb200nf04-1.pdf

STP200NF04STB200NF04 - STB200NF04-1N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 m TO-220/DPAK/IPAKSTripFETII MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageType VDSS RDS(on) ID PwSTB200NF04 40 V

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STP200NF04LSTB200NF04L - STB200NF04L-1N-CHANNEL 40V - 3 m - 120 A TO-220/DPAK/IPAKSTripFET II MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) IDSTB200NF04L 40 V 3.5 m 120 ASTP200NF04L 40 V 3.8 m 120 ASTB200NF04L-1 40 V 3.8 m 120 A TYPICAL RDS(on) = 3m 33211 100% AVALANCHE TESTEDTO-220DPAK LOW THERESHOLD DRIVEDESCRIPT

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STP200NF04STB200NF04 - STB200NF04-1N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 m TO-220/DPAK/IPAKSTripFETII MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageType VDSS RDS(on) ID PwSTB200NF04 40 V

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