STB200NF04 - описание и поиск аналогов

 

STB200NF04. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB200NF04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 320 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm

Тип корпуса: TO263 TO262

Аналог (замена) для STB200NF04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB200NF04 даташит

 ..1. Size:404K  st
 stp200nf04 stb200nf04 stb200nf04-1.pdf pdf_icon

STB200NF04

STP200NF04 STB200NF04 - STB200NF04-1 N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 m TO-220/D PAK/I PAK STripFET II MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package Type VDSS RDS(on) ID Pw STB200NF04 40 V

 0.1. Size:354K  st
 stp200nf04l stb200nf04l stb200nf04l-1.pdf pdf_icon

STB200NF04

STP200NF04L STB200NF04L - STB200NF04L-1 N-CHANNEL 40V - 3 m - 120 A TO-220/D PAK/I PAK STripFET II MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID STB200NF04L 40 V 3.5 m 120 A STP200NF04L 40 V 3.8 m 120 A STB200NF04L-1 40 V 3.8 m 120 A TYPICAL RDS(on) = 3m 3 3 2 1 1 100% AVALANCHE TESTED TO-220 D PAK LOW THERESHOLD DRIVE DESCRIPT

 0.2. Size:401K  st
 stb200nf04-1 stb200nf04t4.pdf pdf_icon

STB200NF04

STP200NF04 STB200NF04 - STB200NF04-1 N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 m TO-220/D PAK/I PAK STripFET II MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package Type VDSS RDS(on) ID Pw STB200NF04 40 V

 0.3. Size:343K  st
 stb200nf04l-1 stb200nf04l.pdf pdf_icon

STB200NF04

STP200NF04L STB200NF04L - STB200NF04L-1 N-CHANNEL 40V - 3 m - 120 A TO-220/D PAK/I PAK STripFET II MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID STB200NF04L 40 V 3.5 m 120 A STP200NF04L 40 V 3.8 m 120 A STB200NF04L-1 40 V 3.8 m 120 A TYPICAL RDS(on) = 3m 3 3 2 1 1 100% AVALANCHE TESTED TO-220 D PAK LOW THERESHOLD DRIVE DESCRIPT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SCT10N120 , SCT20N120 , STB100N6F7 , STB10LN80K5 , STB15N65M5 , STB15NK50Z , STB15NK50Z-1 , STB17N80K5 , RU7088R , STB23N80K5 , STB28N60DM2 , STB33N60DM2 , STB35N60DM2 , STB37N60DM2AG , STB45N30M5 , STB47N50DM6AG , STB55NF06-1 .

History: NTE4153NT1G | SI2325DS | NDT6N70 | IRF7700

 

 

 

 

↑ Back to Top
.