STB35N60DM2 Todos los transistores

 

STB35N60DM2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB35N60DM2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de STB35N60DM2 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STB35N60DM2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:761K  st
 stb35n60dm2.pdf pdf_icon

STB35N60DM2

STB35N60DM2 N-channel 600 V, 0.094 typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features R DS(on)Order code VDS ID PTOT TAB max. STB35N60DM2 600 V 0.110 28 A 210 W 3 Fast-recovery body diode 1 Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance D2PAK 100% avalanche tested Extremely

 7.1. Size:1202K  st
 stb35n65m5 stf35n65m5 sti35n65m5 stp35n65m5 stw35n65m5.pdf pdf_icon

STB35N60DM2

STB35N65M5, STF35N65M5, STI35N65M5STP35N65M5, STW35N65M5N-channel 650 V, 0.085 , 27 A, MDmesh V Power MOSFETin D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS @ Type RDS(on) max IDTJMAX 33123 12STB35N65M5 710 V

 7.2. Size:204K  inchange semiconductor
 stb35n65m5.pdf pdf_icon

STB35N60DM2

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STB35N65M5FEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIM

 8.1. Size:421K  st
 stb35nf10 stp35nf10.pdf pdf_icon

STB35N60DM2

STB35NF10STP35NF10N-channel 100V - 0.030 - 40A - D2PAK/TO-220Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB35NF10 100V

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STB15N65M5 , STB15NK50Z , STB15NK50Z-1 , STB17N80K5 , STB200NF04 , STB23N80K5 , STB28N60DM2 , STB33N60DM2 , AO4468 , STB37N60DM2AG , STB45N30M5 , STB47N50DM6AG , STB55NF06-1 , STB80NF55-06 , STB90NF03L-1 , STB9NK70Z , STD10LN80K5 .

History: WMO50P04T1 | SSF6N70GM

 

 
Back to Top

 


 
.