STB35N60DM2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB35N60DM2
Código: 35N60DM2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 210 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 28 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 54 nC
Tiempo de subida (tr): 17 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB35N60DM2
STB35N60DM2 Datasheet (PDF)
stb35n60dm2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STB35N60DM2 N-channel 600 V, 0.094 typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features R DS(on)Order code VDS ID PTOT TAB max. STB35N60DM2 600 V 0.110 28 A 210 W 3 Fast-recovery body diode 1 Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance D2PAK 100% avalanche tested Extremely
stb35n65m5 stf35n65m5 sti35n65m5 stp35n65m5 stw35n65m5.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STB35N65M5, STF35N65M5, STI35N65M5STP35N65M5, STW35N65M5N-channel 650 V, 0.085 , 27 A, MDmesh V Power MOSFETin D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS @ Type RDS(on) max IDTJMAX 33123 12STB35N65M5 710 V
stb35n65m5.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STB35N65M5FEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIM
stb35nf10 stp35nf10.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STB35NF10STP35NF10N-channel 100V - 0.030 - 40A - D2PAK/TO-220Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB35NF10 100V
stb35nf10t4.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STB35NF10STP35NF10N-channel 100V - 0.030 - 40A - D2PAK/TO-220Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB35NF10 100V
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .