STD7LN80K5 Todos los transistores

 

STD7LN80K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD7LN80K5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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STD7LN80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:818K  st
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STD7LN80K5

STD7LN80K5 N-channel 800 V, 0.95 typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTD7LN80K5 800 V 1.15 5 A Industrys lowest RDS(on) x area Industrys best figure of merit (FoM) DPAK Ultra-low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Figure 1: Internal sc

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History: IRF60R217 | J174 | FQPF13N50 | SRM10N65TC | STP36NF06FP

 

 
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