Справочник MOSFET. STD7LN80K5

 

STD7LN80K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD7LN80K5
   Маркировка: 7LN80K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.15 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для STD7LN80K5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD7LN80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:818K  st
 std7ln80k5.pdf pdf_icon

STD7LN80K5

STD7LN80K5 N-channel 800 V, 0.95 typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTD7LN80K5 800 V 1.15 5 A Industrys lowest RDS(on) x area Industrys best figure of merit (FoM) DPAK Ultra-low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Figure 1: Internal sc

Другие MOSFET... STD13N60DM2 , STD15N50M2AG , STD20NF06L-1 , STQ2HNK60Z-AP , STD4LN80K5 , STD4N90K5 , STD5N60DM2 , STD64N4F6AG , 10N60 , STD8N60DM2 , STF11N60M2-EP , STF11N65M2-045Y , STF13N60DM2 , STF140N6F7 , STF15N60M2-EP , STF16N60M6 , STF20N90K5 .

History: NP90N04PUH | FCPF650N80Z | NCE50N1K8I

 

 
Back to Top

 


 
.