Справочник MOSFET. STD7LN80K5

 

STD7LN80K5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STD7LN80K5
   Маркировка: 7LN80K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.15 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для STD7LN80K5

 

 

STD7LN80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:818K  st
 std7ln80k5.pdf

STD7LN80K5 STD7LN80K5

STD7LN80K5 N-channel 800 V, 0.95 typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTD7LN80K5 800 V 1.15 5 A Industrys lowest RDS(on) x area Industrys best figure of merit (FoM) DPAK Ultra-low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Figure 1: Internal sc

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top