STF20NM50FD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STF20NM50FD
Código: F20NM50FD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 45 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 38 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 290 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.25 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
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STF20NM50FD Datasheet (PDF)
stb20nm50fd stf20nm50fd stp20nm50fd.pdf
STB20NM50FDSTF20NM50FD - STP20NM50FDN-channel 500 V, 0.22 , 20 A D2PAK, TO-220FP, TO-220FDmesh Power MOSFET (with fast diode)FeaturesRDS(on) Type VDSS RDS(on)* Qg IDmaxSTB20NM50FD 500 V
stb20nm60a-1 stp20nm60a stf20nm60a.pdf
STB20NM60A-1STP20NM60A - STF20NM60AN-CHANNEL 650V@Tjmax - 0.25 - 20A IPAK/TO-220/TO-220FPMDmesh MOSFETTYPE VDSS @Tjmax RDS(on) IDSTB20NM60A-1 650 V
stp20nm65n stf20nm65n.pdf
STP20NM65NSTF20NM65NN-channel 650 V, 0.250 , 15 A TO-220, TO-220FPsecond generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID@Tjmax max.STP20NM65N710 V 0.270 15 ASTF20NM65N33 100 % avalanche tested2211 Low input capacitance and gate chargeTO-220TO-220FP Low gate input resistanceApplication Switching applicationsF
stf20nm60d stp20nm60fd stw20nm60fd.pdf
STF20NM60D - STP20NM60FDSTW20NM60FDN-channel 600V - 0.26 - 20A - TO-220 - TO-220FP - TO-247FDmesh Power MOSFET (with fast diode)General featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTF20NM60D 600V
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
