STF20NM50FD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STF20NM50FD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 290 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.25 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для STF20NM50FD
STF20NM50FD Datasheet (PDF)
stb20nm50fd stf20nm50fd stp20nm50fd.pdf
STB20NM50FDSTF20NM50FD - STP20NM50FDN-channel 500 V, 0.22 , 20 A D2PAK, TO-220FP, TO-220FDmesh Power MOSFET (with fast diode)FeaturesRDS(on) Type VDSS RDS(on)* Qg IDmaxSTB20NM50FD 500 V
stb20nm60a-1 stp20nm60a stf20nm60a.pdf
STB20NM60A-1STP20NM60A - STF20NM60AN-CHANNEL 650V@Tjmax - 0.25 - 20A IPAK/TO-220/TO-220FPMDmesh MOSFETTYPE VDSS @Tjmax RDS(on) IDSTB20NM60A-1 650 V
stp20nm65n stf20nm65n.pdf
STP20NM65NSTF20NM65NN-channel 650 V, 0.250 , 15 A TO-220, TO-220FPsecond generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID@Tjmax max.STP20NM65N710 V 0.270 15 ASTF20NM65N33 100 % avalanche tested2211 Low input capacitance and gate chargeTO-220TO-220FP Low gate input resistanceApplication Switching applicationsF
stf20nm60d stp20nm60fd stw20nm60fd.pdf
STF20NM60D - STP20NM60FDSTW20NM60FDN-channel 600V - 0.26 - 20A - TO-220 - TO-220FP - TO-247FDmesh Power MOSFET (with fast diode)General featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTF20NM60D 600V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
