STF26N65DM2 Todos los transistores

 

STF26N65DM2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STF26N65DM2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TO220F

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STF26N65DM2 datasheet

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STF26N65DM2

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STF26N65DM2

STF26NM60N N-channel 600 V, 0.135 typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-220FP package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) D STF26NM60N 600 V 0.165 20 A 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Applications TO-220FP Switching applications Description Figure 1 Int

 8.2. Size:1134K  st
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STF26N65DM2

STB26NM60N, STF26NM60N STP26NM60N, STW26NM60N N-channel 600 V, 0.135 , 20 A MDmesh II Power MOSFET D2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Features RDS(on) Type VDSS ID max 3 2 3 1 2 STB26NM60N 600 V

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STF26N65DM2

STF26NM60N-H N-channel 600 V, 0.135 , 20 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP Features RDS(on) Type VDSS ID max STF26NM60N-H 600 V

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History: CS2N70A3R1-G | S10H18RP

 

 

 

 

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